產(chǎn)生光電導現(xiàn)象的方法主要有導帶與價帶之間的躍遷、子帶之間的躍遷或者雜質帶激發(fā)，目前人們普遍認為由遠小于半導體禁帶能量的光子直接激發(fā)的室溫光電導機制是不可能實現(xiàn)的。中國科學院上海技術物理研究所黃志明研究員團隊研究發(fā)現(xiàn)并提出一種太赫茲波段室溫新光電導現(xiàn)象（見下圖）：當外部電磁波（光子）入射到器件上，將在半導體材料中誘導勢阱，從而束縛來自于金屬中的載流子，使得材料中載流子濃度發(fā)生改變。黃志明團隊成功制備出相關器件，并通過實驗證明了所提出理論的正確性。

    有關研究結果已于9月1日在線發(fā)表在Advanced Materials (DOI:10.1002/adma.201402352)上。此項研究結果證明了遠小于禁帶能量的光子激發(fā)的室溫光電導機制，并跳出了傳統(tǒng)的基于帶間躍遷、子帶能級躍遷，以及雜質帶激發(fā)產(chǎn)生光電導的限制，解決了室溫下遠小于禁帶能量光子直接產(chǎn)生光電導這一難題。它將對半導體、超材料、等離子體和太赫茲低能光子探測產(chǎn)生深遠影響。 

一種太赫茲波段室溫新光電導現(xiàn)象