Hydrogen silsesquioxane (HSQ)是電子束光刻技術(shù)中的一種重要光膠，它具有超高的光刻分辨率，可以達(dá)到5 nm以下的納米結(jié)構(gòu)。同時(shí)，HSQ具有良好的機(jī)械性能和抗刻蝕性，可以作為干法刻蝕的掩膜。然而，HSQ在某些襯底上（比如Au，Cu，Mo等）的粘附性非常差，在電子束曝光的顯影工藝中很難保留在基底表面，嚴(yán)重影響HSQ的應(yīng)用范圍。
中國(guó)科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所微納技術(shù)研究室的張志強(qiáng)博士提出了幾種采用化學(xué)修飾的方法來調(diào)節(jié)HSQ與基底的粘附力的方法（如圖）。研究表明，HSQ在MPTMS和PDDA修飾的金基底表面的粘附力大大提高。而對(duì)于硅，鉻，銅，和ITO基底，APTES和PDDA的效果最好，APTES對(duì)于鉬基底的效果最好。該方法提高了HSQ在多種基底上的粘附力的方法，擴(kuò)大了HSQ的應(yīng)用范圍，尤其是在金表面的應(yīng)用具有很大的前景，比如發(fā)展基于HSQ/Au的納米表面光學(xué)器件。相關(guān)成果已發(fā)表在微電子領(lǐng)域?qū)I(yè)雜志Microelectronic Engineering, 2014, 128(5), 59-65上。
此工作得到國(guó)家重大科學(xué)儀器專項(xiàng)“超分辨顯微光學(xué)關(guān)鍵部件及系統(tǒng)”項(xiàng)目的支持。
五種化學(xué)修飾方法及HSQ粘附力效果
