半導(dǎo)體寬譜光源在傳感、光譜學(xué)、生物醫(yī)學(xué)成像等方面具有廣泛的應(yīng)用前景，但目前所采用的發(fā)光管（LEDs）和超輻射二極管（SLD）因其發(fā)射功率低而有所局限，所以研發(fā)大功率的寬譜激光器具有重要意義。
最近，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室潘教青研究員在指導(dǎo)研究生從事大功率激光器研究中，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種含隧道結(jié)構(gòu)的大功率量子阱激光器寬譜光源。其初步研究結(jié)果以Ultrabroad stimulated emission from quantum well laser 為題發(fā)表在Applied Physics Letters, vol. 104, p. 251101, （2014）上。該研究報(bào)道被國(guó)際雜志Nature Photonics（2014年9月1日出版）作為十大“亮點(diǎn)論文”進(jìn)行了報(bào)道，稱該項(xiàng)研究對(duì)超短脈沖光源和多波長(zhǎng)調(diào)諧光源方面的研究具有重要意義。
該研究和通常的發(fā)光二極管、激光二極管的不同點(diǎn)在于其采用MOCVD方法生長(zhǎng)InGaAs/GaAs量子阱有源區(qū)時(shí)，增加了GaAs的反向隧道結(jié)構(gòu)，提高了器件的增益和特征溫度。第一次實(shí)現(xiàn)了InGaAs/GaAs 量子阱的寬譜激光器，中心波長(zhǎng)1060 nm，脈沖激射功率50 mW，光譜寬度為38 nm。此項(xiàng)研究對(duì)寬譜激光源的大功率輸出、降低成本、促進(jìn)寬譜光源技術(shù)發(fā)展具有重要意義。
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半導(dǎo)體所設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種含隧道結(jié)構(gòu)的大功率量子阱激光器寬譜光源
