發(fā)光波長位于2-3μm波段的高性能半導體激光光源因可以廣泛應(yīng)用于氣體探測、超長距離無中繼通信、生物醫(yī)學等領(lǐng)域而成為人們研究的熱點。目前，2-3μm波段半導體激光器有源區(qū)材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱結(jié)構(gòu)。GaSb基量子阱材料因其生長結(jié)構(gòu)復(fù)雜，含Sb的四元甚至五元系化合物生長及界面難以控制，特別是采用適合大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用的MOCVD更難實現(xiàn)高質(zhì)量多元銻化物的生長制備。相比較，InP基InAs量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優(yōu)勢。除了具有高質(zhì)量、低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統(tǒng)通訊用激光器成熟的制備工藝，且易與其它器件實現(xiàn)集成等優(yōu)勢而具有更好的應(yīng)用前景。

    基于此，中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室研究員楊濤課題組開展了InAs/InP量子阱理論計算及MOCVD生長制備方面的研究。近日，成功地解決了InP基外延大失配（3.2%）InAs量子阱的技術(shù)難題，獲得了高質(zhì)量的半導體量子阱材料。其發(fā)光波長實現(xiàn)2.0-2.5μm范圍可控調(diào)節(jié)。制備的2.0μm窄條激光器（6μm×1.5mm）實現(xiàn)室溫連續(xù)激射，閾值電流45mA，單面出光功率大于25mW。制備的2.1μm寬條激光器（250μm×2mm）在脈沖注入下，出光功率超過110mW，閾值電流750mA，對應(yīng)閾值電流密度低至150A/cm2，為目前已報道該體系半導體激光器的國際先進水平。有關(guān)成果將在第十三屆全國MOCVD學術(shù)會議（揚州，2014年5月6-9日）上報告。

2.0μm窄條激光器P-I，V-I特性曲線，插圖給出了50mA注入條件下，激光器的激射譜。 

2.1μm寬條激光器P-I，V-I特性曲線，插圖給出了750mA注入條件下，激光器的激射譜。