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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造，具體涉及一種mems通孔結(jié)構(gòu)及其制備方法。、在微機(jī)電系統(tǒng)（mems）的制造中，硅深刻蝕是實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。業(yè)界長(zhǎng)期以來(lái)面臨著兩種各有顯著弊端的技術(shù)路線選擇：其一是深反應(yīng)離子刻蝕（drie）工藝，它能精確制造高深寬比的垂直結(jié)構(gòu)，但其等離子環(huán)境會(huì)引入氟、硫等副產(chǎn)物，導(dǎo)致...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體及其制備，具體是一種小尺寸低寄生電容esd器件及其制備方法。、隨著mems壓力傳感器、慣性傳感器等微機(jī)電系統(tǒng)器件向高靈敏度、小尺寸和片上高度集成方向發(fā)展，esd防護(hù)器件逐漸由封裝級(jí)或芯片外圍防護(hù)，轉(zhuǎn)向直接集成于mems傳感芯體內(nèi)部或其近鄰區(qū)域；然而，現(xiàn)有esd器件在與mem...

本發(fā)明屬于微納加工，具體涉及一種微納結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。、光電子器件微小型化是大勢(shì)所趨，然而，現(xiàn)有的自上而下的微納加工方法嚴(yán)重制約了小型化量子器件的制備。雖然一些現(xiàn)有的自上而下加工工藝可以實(shí)現(xiàn)幾十納米級(jí)的加工，但獲得的微納結(jié)構(gòu)邊緣往往附帶有非常多的毛刺，且當(dāng)加工尺寸小于納米時(shí)，這些毛刺...

本發(fā)明涉及芯片制造，尤其涉及一種高抗擾mems懸臂梁光聲傳感芯片的制造方法。、高抗擾mems懸臂梁光聲傳感芯片的制造中，pi彈性膜與鍵合質(zhì)量是決定芯片成型精度、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及抗擾性能的核心要素。pi彈性膜作為懸臂梁的關(guān)鍵柔性支撐與抗擾緩沖結(jié)構(gòu)，其制備質(zhì)量直接影響芯片成型完整性，良好的pi膜可...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種mems器件及其制備方法。、全耗盡型絕緣體上硅工藝（fdsoi，fully?depleted?silicon?on?insulator）制備的壓力傳感器因在高溫工作環(huán)境下的漏電流不會(huì)顯著增加而廣泛應(yīng)用于對(duì)傳感器高溫狀態(tài)下的性能有較高要求的工作領(lǐng)域。fds...

本發(fā)明屬于傳感器，具體涉及一種cmos-mems光學(xué)傳感器及其制備方法。、mems結(jié)構(gòu)一般具有與cmos結(jié)構(gòu)不一樣的制備工藝，當(dāng)需要將mems結(jié)構(gòu)與cmos結(jié)構(gòu)集成時(shí)因工藝不同，往往會(huì)先在兩片晶圓上分別制備mems結(jié)構(gòu)和cmos結(jié)構(gòu)，再通過(guò)封裝集成在一起。封裝方式包括先將mems結(jié)構(gòu)與cm...

本發(fā)明屬于微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域，具體涉及一種高深寬比碳微結(jié)構(gòu)電極陣列及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)中，微電池、電化學(xué)類微傳感器往往需要具有高深寬比的微結(jié)構(gòu)電極陣列。相較于平面二維電極，高深寬比的三維電極，可提高同投影面積下的反應(yīng)表面積，進(jìn)而提升器件的性能。、以鋰電池為例，其負(fù)極通常為石墨類材料。為提...

本技術(shù)涉及壓力傳感器，具體為一種壓力傳感器封裝結(jié)構(gòu)。、壓力傳感器的封裝主要分為mems晶圓級(jí)封裝、金屬焊接封裝、注塑成型和充油隔離封裝等，其中晶圓級(jí)封裝是一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢(shì)，近年來(lái)發(fā)展迅速。、現(xiàn)有的mems晶圓級(jí)封裝表壓力傳感器，由于封裝外...

本發(fā)明實(shí)施例涉及微機(jī)電系統(tǒng)，具體涉及一種用于mems器件的密封結(jié)構(gòu)及其制備方法。、微機(jī)電系統(tǒng)（micro?electromechanical?system，以下簡(jiǎn)稱“mems”）是集微傳感器、微執(zhí)行器、微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微電源微能源、信號(hào)處理和控制電路、高性能電子集成器件、接口、通信等于一體的微...

本申請(qǐng)涉及mems芯片，特別涉及mems芯片、mems芯片的制作方法、傳感器及電子設(shè)備。、傳感器是一種將外界信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的精密微型器件，其核心原理是利用外界信號(hào)的變化引起機(jī)械結(jié)構(gòu)的位移，進(jìn)而改變電容值，轉(zhuǎn)化為電信號(hào)被檢測(cè)到。對(duì)于壓力傳感器而言，就是將外界聲壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為mems芯片敏感膜...

本發(fā)明涉及控制器件，具體涉及一種mems控制器及mems器件。、mems(micro-electro-mechanical?system，稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)或微系統(tǒng))是尺寸在幾毫米乃至更小的裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。mems基于微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))發(fā)展而來(lái)，融合了光刻...

本發(fā)明涉及微機(jī)電系統(tǒng)制造，具體涉及一種電場(chǎng)傳感器場(chǎng)增強(qiáng)蓋板及其制備方法，尤其適用于晶圓級(jí)真空封裝與電場(chǎng)增敏結(jié)構(gòu)的集成制造。、電場(chǎng)探測(cè)在航空航天、氣象、電力、?；?、工業(yè)生產(chǎn)等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。采用微機(jī)電系統(tǒng)（mems）方式研制的各類電場(chǎng)傳感器具有體積小、重量輕、成本低的特點(diǎn)，因此成為了電...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種高兼容性的異質(zhì)集成方法。、異質(zhì)集成技術(shù)旨在將不同工藝、材料和功能的模塊進(jìn)行組合，得到突破單一材料物理限制的多功能、高性能新型材料平臺(tái)，正因?yàn)榇?，異質(zhì)集成技術(shù)已成為眾多前沿科技領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。、但是對(duì)不同特性、不同尺寸、以及與現(xiàn)有mems標(biāo)準(zhǔn)工藝尺寸不兼容的模塊進(jìn)行...

本發(fā)明屬于微納加工與先進(jìn)制造，特別的，屬于一種基于形狀記憶合金相變驅(qū)動(dòng)的三維曲面微結(jié)構(gòu)的制備方法。、隨著微系統(tǒng)集成度提升和功能需求升級(jí)，傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)的性能瓶頸日益顯現(xiàn)。在光束整形、光譜調(diào)制等前沿領(lǐng)域，具有三維曲面特征的光學(xué)元件展現(xiàn)出不可替代的優(yōu)勢(shì)。典型的三維微光學(xué)器件包括曲面微透鏡陣列、立...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法、電子設(shè)備。、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)技術(shù)作為現(xiàn)代精密制造和微型化技術(shù)的重要分支，廣泛應(yīng)用于傳感器、執(zhí)行器及其他微型設(shè)備的開發(fā)中，mems器件的制造集成了微細(xì)加工技術(shù)與半導(dǎo)體加工技術(shù)，其精度和可靠性直接影響器件的性能。、在mems器件的制...

本發(fā)明屬于微流控芯片領(lǐng)域，涉及一種基于微流控的氧合等離子體表面鍵合方法。、濕法清洗和干法清洗是目前針對(duì)表面清洗主要的兩種傳統(tǒng)清洗方法。用液體作為清洗媒介屬于濕法清洗，例如蒸汽清洗，溶液浸泡清洗和旋轉(zhuǎn)噴淋清洗。液體清洗容易引入新的雜質(zhì)因此對(duì)于鋼鐵材料等物質(zhì)在不添加其他有效成份的條件下無(wú)法進(jìn)行...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體封裝，尤其涉及一種pcb擴(kuò)展背腔封裝工藝。、現(xiàn)有常規(guī)硅麥pcb設(shè)計(jì)封裝是在一塊pcb基板上平行擺放mems電容式芯片及asic集成芯片，使用貼片膠實(shí)現(xiàn)mems電容式芯片及asic集成芯片與pcb的固定，其次通過(guò)專用設(shè)備利用金線分別把mems電容式芯片與asic集成芯片、?a...

本發(fā)明涉及微型力/力矩傳感器，具體涉及一種半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)的制造方法及半導(dǎo)體應(yīng)變計(jì)。、隨著機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人（cobots）和微納制造設(shè)備對(duì)觸覺、力反饋精度與尺寸的要求不斷提高，微型化、高集成度的多軸力/力矩傳感器成為研究與工程應(yīng)用的熱點(diǎn)。為在機(jī)械結(jié)構(gòu)狹小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度多分量測(cè)量，研究者通...

本申請(qǐng)屬于微電子，具體涉及一種柔性信號(hào)傳輸結(jié)構(gòu)。、當(dāng)前，微同軸傳輸結(jié)構(gòu)的制造普遍采用硅基或玻璃基mems（micro-electro-mechanical?system，微電子機(jī)械系統(tǒng)）工藝，通過(guò)電鍍銅或多晶圓鍵合技術(shù)形成金屬層結(jié)構(gòu)。這類結(jié)構(gòu)雖然在高頻信號(hào)傳輸中具有優(yōu)異性能，但其基底材料固...

本發(fā)明涉及控制器件，具體涉及一種mems控制器及mems器件。、mems(micro-electro-mechanical?system，稱為微電子機(jī)械系統(tǒng)或微系統(tǒng))是尺寸在幾毫米乃至更小的裝置，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級(jí)。mems基于微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))發(fā)展而來(lái)，融合了光刻...