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本發(fā)明涉及大數(shù)據(jù)存儲，具體為用于大數(shù)據(jù)存儲的固態(tài)硬盤測試方法、裝置及存儲介質(zhì)。、隨著云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等技術(shù)的飛速發(fā)展，全球數(shù)據(jù)量呈爆炸式增長，對大數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的容量、性能及可靠性提出了更高要求。固態(tài)硬盤（ssd）因其讀寫速度快、功耗低、抗震性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，已成為大數(shù)據(jù)存儲中心的核心存儲...

本申請實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種存儲器的操作方法及存儲器。、相變隨機(jī)存取存儲器（phase?change?random?access?memory，pcram）彌補(bǔ)了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dynamic?random?access?memory，dram）和閃存（flash）之間的性能差...

本發(fā)明的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其操作方法。、存儲器件是電子系統(tǒng)的組成部分，以允許快速訪問和修改的方式存儲數(shù)據(jù)。傳統(tǒng)上，存儲器件被設(shè)計(jì)為在大量存儲單元中以“”和“”的形式存儲二進(jìn)制信息。由于制造差異和設(shè)計(jì)限制，這些單元通常表現(xiàn)出不平衡的物理結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致其電氣特性存在...

本公開的多種實(shí)施例涉及一種處理時(shí)鐘信號的半導(dǎo)體電路。、存儲器裝置是計(jì)算機(jī)或電子設(shè)備中用于存儲數(shù)據(jù)的重要組件，并且可以基于時(shí)鐘信號操作。數(shù)據(jù)與時(shí)鐘信號同步地發(fā)送到存儲器裝置。存儲器裝置可以基于時(shí)鐘信號的時(shí)序來處理數(shù)據(jù)。、由于各種外部因素以及電路本身的特性，時(shí)鐘信號發(fā)送可能會不穩(wěn)定。例如，電源...

本申請涉及電子芯片，特別涉及一種缺陷篩選方法、控制器、介質(zhì)及產(chǎn)品。、在相關(guān)技術(shù)中，在dram存儲芯片的生產(chǎn)制造時(shí)，不可避免的引入一些缺陷，因此在其測試中，有一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)為：通過測試篩選出其中已損壞或可能損壞的存儲單元，并將其對應(yīng)的dram存儲芯片標(biāo)記為不良品。、當(dāng)前的方法是對dram芯片的...

本發(fā)明涉及內(nèi)存刷新測試，尤其涉及一種ddr內(nèi)存寫入刷新操作的并行測試序列優(yōu)化方法及系統(tǒng)。、隨著第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（ddrsdram）的廣泛應(yīng)用，其在數(shù)據(jù)傳輸速率、帶寬密度和電源效率方面相較于前代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了顯著提升。然而，ddr內(nèi)存架構(gòu)的復(fù)雜性亦隨之增加，主要體現(xiàn)在更精...

本發(fā)明涉及芯片讀寫性能測試，具體為一種lpddr芯片量產(chǎn)讀寫性能測試方法及系統(tǒng)。、隨著智能手機(jī)、可穿戴終端與車載計(jì)算平臺向高帶寬、低功耗方向持續(xù)演進(jìn)，lpddr內(nèi)存已成為系統(tǒng)主板上占比最大的高速接口之一；其單片容量突破八吉比特、工作速率攀升至三點(diǎn)二吉比特每秒，多字節(jié)通道同時(shí)在數(shù)百皮秒范圍內(nèi)...

本發(fā)明的實(shí)施例涉及集成電路系統(tǒng)中的存儲控制器和存儲輸入/輸出技術(shù)。、、現(xiàn)代存儲控制器支持處理器與存儲設(shè)備之間的高效低延遲數(shù)據(jù)傳輸。存儲控制器將來自處理器的高級存儲訪問請求轉(zhuǎn)換并協(xié)調(diào)為低級電信號，以讀取或?qū)懭氪鎯ζ鳌；诖鎯υL問請求，存儲控制器決定訪問存儲單元陣列中的哪一行和...

本申請涉及存儲，特別涉及一種存儲設(shè)備。、非易失性極化存儲器，如鐵電場效應(yīng)晶體管fefet，可以利用鐵電材料的極化特性實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，具有高速度、低功耗、高集成度等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于存儲領(lǐng)域。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，fefet的閾值電壓易受多種因素影響，如鐵電材料的疲勞效應(yīng)，經(jīng)過多次讀寫循環(huán)后極化...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試，尤其涉及一種極低溫下sram的探針測試方法以及測試裝置。、在信息和通信技術(shù)和人工智能的進(jìn)步的推動(dòng)下，過去十年來，對高性能計(jì)算的需求呈指數(shù)級增長。僅僅依靠技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步已不足以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心日益增長的計(jì)算需求和能耗挑戰(zhàn)。低溫cmos技術(shù)作為一種有前景的解決方案而出現(xiàn)，...

本發(fā)明涉及一種三維(d)集成電路。、傳統(tǒng)上，集成存儲器電路和集成邏輯電路是在單獨(dú)的半導(dǎo)體襯底上制造的。隨后，存儲芯片和邏輯芯片可被附著到電路板上，并通過合適的互連結(jié)構(gòu)連接在一起。隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的發(fā)展，出現(xiàn)了在同一襯底上制造存儲器電路和邏輯電路的趨勢。這種結(jié)構(gòu)被稱為片上系統(tǒng)(system...

本發(fā)明涉及修復(fù)存儲器模塊，特別涉及存儲修復(fù)數(shù)據(jù)至存儲器模塊的序列存在檢測(serial?presence?detect；spd)之中，以增強(qiáng)存儲器模塊的后封裝修復(fù)(post?packagerepair；ppr)。、服務(wù)器(servers)大量應(yīng)用于高需求的產(chǎn)品，比如以網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)的系統(tǒng)或數(shù)據(jù)...

本公開的實(shí)施例主要涉及包括阻變隨機(jī)存取存儲器設(shè)備的交叉電路，更具體地，涉及用于交叉電路的位串行輸入方案。、交叉電路是一種包括交叉互連的電導(dǎo)線的電路結(jié)構(gòu)，這些導(dǎo)線在交點(diǎn)位置與一個(gè)存儲元件相連，例如阻變材料。阻變材料例如憶阻器（也稱為阻變隨機(jī)存取存儲器（rram或reram））。交叉電路可用于...

本發(fā)明涉及存儲器，具體涉及一種存儲單元、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)。、目前，商業(yè)中最常用的sram(static?random-access?memory，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)為t-cell(晶體管)結(jié)構(gòu)，即由兩個(gè)反相器和兩個(gè)選通管組成，一個(gè)sram結(jié)構(gòu)中共根場效應(yīng)晶體管。而在數(shù)字型存內(nèi)計(jì)算電路...

、數(shù)據(jù)存儲器件包含用于存儲數(shù)據(jù)的存儲器。為了增加存儲密度，可使用多級單元(mlc)在存儲器中存儲每存儲器單元多于一個(gè)位。在操作中，在確定要存儲在特定存儲器單元中的位序列之后，通過設(shè)置與位序列相對應(yīng)的閾值電壓將存儲器單元編程為一狀態(tài)。為了讀取存儲器單元，感測存儲器單元，并且將存儲器單元的閾值...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計(jì)，具體地說是一種sram集成零面積電荷泵的協(xié)同控制方法及控制電路。、隨著半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)不斷微縮，芯片面積成本日益成為制約系統(tǒng)級芯片（soc）競爭力的關(guān)鍵因素。為實(shí)現(xiàn)極致的成本效益，業(yè)界提出一種創(chuàng)新物理集成方案：將電荷泵的飛行電容（fly?capacitor）直接構(gòu)建于...

本技術(shù)涉及計(jì)算機(jī)，具體為一種計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)處理錄入裝置。、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)錄入?是指將各種形式的信息、數(shù)據(jù)、文本等通過計(jì)算機(jī)鍵盤輸入、讀卡器、光學(xué)掃描和計(jì)算機(jī)控制的傳感器分析等方式錄入到計(jì)算機(jī)或其他信息管理系統(tǒng)中的過程。將數(shù)據(jù)準(zhǔn)確記錄并儲存在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中后，以便后續(xù)的查詢、分析、報(bào)表生成和可視化實(shí)現(xiàn)...

本公開涉及但不限于一種半導(dǎo)體器件及其操作方法、系統(tǒng)以及計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)。、在經(jīng)典馮·諾依曼計(jì)算體系結(jié)構(gòu)中，存儲器與處理器是分離的，兩者之間通過數(shù)據(jù)總線進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。執(zhí)行命令時(shí)，處理器先從存儲器中讀取數(shù)據(jù)，處理完之后，再把更新后的數(shù)據(jù)寫回存儲器當(dāng)中，數(shù)據(jù)頻繁搬移帶來巨大的功耗與時(shí)間開銷；另...

本技術(shù)屬于數(shù)據(jù)儲存設(shè)備，特別涉及一種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)服務(wù)數(shù)據(jù)儲存設(shè)備。、數(shù)據(jù)儲存設(shè)備是指網(wǎng)絡(luò)環(huán)境中用于存儲、管理和檢索大量數(shù)據(jù)的硬件設(shè)備，它們通過電、磁或光學(xué)等物理方式將數(shù)據(jù)以二進(jìn)制形式永久或暫時(shí)保存起來。、現(xiàn)有的網(wǎng)絡(luò)技術(shù)服務(wù)數(shù)據(jù)儲存設(shè)備使用時(shí)，需要實(shí)時(shí)讀取和錄入數(shù)據(jù)，因此發(fā)熱嚴(yán)重，一般的散熱方式...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器的測試，具體是涉及一種電壓調(diào)節(jié)的dram系統(tǒng)級測試系統(tǒng)及篩選方法。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dram）作為現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器、移動(dòng)終端及嵌入式設(shè)備中不可或缺的核心存儲介質(zhì)，其穩(wěn)定性和可靠性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行安全與數(shù)據(jù)完整性。在實(shí)際應(yīng)用中，dram芯片的工作電壓并...