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本公開的某些方面整體涉及電子電路，并且更具體地涉及電壓-時(shí)間-電壓放大器。、電子設(shè)備包括計(jì)算設(shè)備，諸如臺(tái)式計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、智能電話、可穿戴設(shè)備如智能手表、互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)器等。這些各種電子設(shè)備為人類用戶提供信息、娛樂、社交互動(dòng)、安全性、安全、生產(chǎn)力、運(yùn)輸、制造和其他服務(wù)。這些各...

本公開涉及顯示裝置和電子設(shè)備。、使用諸如有機(jī)el元件的發(fā)光元件的顯示裝置已用于各種產(chǎn)業(yè)。作為顯示裝置，專利文獻(xiàn)提出了一種顯示裝置，該顯示裝置具有第二基板接合在第一基板上設(shè)置有發(fā)光元件的基體（base?body）的結(jié)構(gòu)。、引用列表、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開專利申請(qǐng)第-號(hào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)...

本發(fā)明總體上涉及一種用于檢測(cè)物體的感測(cè)裝置，更具體地涉及一種用于高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)的離手檢測(cè)傳感器。、在汽車車輛傳感器應(yīng)用領(lǐng)域中，已知采用用于所謂的離手檢測(cè)（hod）系統(tǒng)的傳感器，在該系統(tǒng)中，一個(gè)或多個(gè)傳感器提供關(guān)于駕駛員的手是否放置在車輛方向盤上的信息。該信息可作為輸入提供給自動(dòng)駕駛員輔...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝置和膜切斷機(jī)構(gòu)。、以往，已知具備載置硅芯片(半導(dǎo)體芯片)的臺(tái)，以及將臺(tái)上所載置的半導(dǎo)體芯片所粘貼的膜沿著半導(dǎo)體芯片的外周進(jìn)行切斷的手段的裝置(參照專利文獻(xiàn))。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本專利號(hào)說明書技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、發(fā)明所要解決的課題、上述裝置對(duì)于膜照射激光以...

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造膠帶用基材膜（以下，有時(shí)簡(jiǎn)稱為“基材膜”）。、作為ic芯片等半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如廣泛采用以下方法：通過切割（dicing）在晶圓用半導(dǎo)體制造膠帶（切割膠帶／dicing?tape）上對(duì)已在大致呈圓板狀的半導(dǎo)體晶圓上形成有電路的晶圓電路進(jìn)行分割，來得到單個(gè)的半導(dǎo)...

本發(fā)明是關(guān)于基板的包含斜面部的外周部形成保護(hù)膜的成膜方法。、如日本特許號(hào)說明書（專利文獻(xiàn)）所記載，在半導(dǎo)體制造制程中，在基板（例如晶片）的蝕刻處理時(shí)，有基板的外周部（邊緣部和斜面部）被侵蝕的情況。由此，在基板搬運(yùn)時(shí)或基板制程中成為基板的外周部的破損的要因。此外，在被侵蝕的部分捕集微粒，其在...

本公開涉及光伏領(lǐng)域，特別涉及一種光伏組件的制作方法及光伏組件。、隨著太陽能光伏技術(shù)的快速發(fā)展，低溫層壓焊接工藝因其可降低熱應(yīng)力、減少電池隱裂風(fēng)險(xiǎn)而被廣泛應(yīng)用于異質(zhì)結(jié)、鈣鈦礦及疊層電池等對(duì)溫度敏感的新型光伏技術(shù)中。該工藝通常在較低溫度下同步完成焊帶焊接與組件層壓，實(shí)現(xiàn)電氣連接與封裝一體化。、...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種位置校正方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及激光退火機(jī)臺(tái)。、在半導(dǎo)體制造工藝中，激光退火（laser?spike?annealing，lsa）是激活離子注入雜質(zhì)、修復(fù)晶格損傷的關(guān)鍵步驟。該工藝要求晶圓（wafer）的物理中心必須與激光光斑或加熱區(qū)域的中心實(shí)現(xiàn)精確地對(duì)準(zhǔn)...

本發(fā)明涉及車輛信號(hào)燈，具體涉及多傳感器融合的智能自適應(yīng)led信號(hào)燈控制系統(tǒng)及控制方法。、汽車外部車燈有若干種，例如前照燈、尾燈、轉(zhuǎn)向燈、危險(xiǎn)報(bào)警閃光燈和剎車燈等，不同的車燈采用不同的控制方式進(jìn)行控制，例如，手動(dòng)開啟前照燈旋鈕，前照燈和尾燈亮，手動(dòng)按下雙閃按鈕，危險(xiǎn)報(bào)警閃光燈亮，踩下制動(dòng)踏板...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試、微電子封裝及mems測(cè)試，具體涉及一種用于高頻、高密度、多通道芯片測(cè)試的垂直集成探針?biāo)Y(jié)構(gòu)及其基于印刷電路板（pcb）工藝的制作方法。、隨著芯片集成度的不斷提高和信號(hào)速率的日益增長(zhǎng)，對(duì)芯片測(cè)試用的探針卡提出了更高要求：更高的i/o密度、更優(yōu)的高頻信號(hào)傳輸性能、更低的串...

本發(fā)明涉及電熱材料，具體涉及一種汽車內(nèi)飾零部件用電致發(fā)熱面料及其制備方法與應(yīng)用。、隨著汽車工業(yè)向智能化、人性化深度變革，消費(fèi)者對(duì)駕駛舒適性與安全性的需求持續(xù)提升。傳統(tǒng)車內(nèi)溫控依賴空調(diào)系統(tǒng)，通過調(diào)節(jié)空氣溫度間接控溫，熱傳遞效率低、能耗高且局部溫差顯著，尤其冬季嚴(yán)寒地區(qū)，方向盤、座椅等人體直接...

本發(fā)明涉及智能照明領(lǐng)域，特別涉及一種用于多協(xié)議融合照明控制的方法。、現(xiàn)有技術(shù)中，在照明控制領(lǐng)域，隨著技術(shù)發(fā)展和用戶對(duì)光環(huán)境個(gè)性化需求的提升，控制方式已從最初簡(jiǎn)單的機(jī)械開關(guān)，逐步變?yōu)楹w模擬調(diào)光、數(shù)字調(diào)光及智能場(chǎng)景控制的多種場(chǎng)景。、比如，當(dāng)前市場(chǎng)上主流的技術(shù)方案主要包括-v調(diào)光、pwm調(diào)光技...

本發(fā)明涉及智能交通與隧道照明，具體地說是一種基于光感知的隧道出入口視覺緩沖照明系統(tǒng)。、現(xiàn)有隧道照明系統(tǒng)多采用固定亮度或簡(jiǎn)單分級(jí)調(diào)光方式，存在以下問題：、（）晝夜光照差異大：白天隧道內(nèi)暗、外亮；夜晚隧道內(nèi)亮、外暗，司機(jī)在進(jìn)出隧道時(shí)易產(chǎn)生“黑洞效應(yīng)”或“白洞效應(yīng)”，造成短暫視覺障礙；、（）缺乏...

本申請(qǐng)涉及micro?led激光轉(zhuǎn)移，特別是涉及一種micro?led芯片激光轉(zhuǎn)移方法、裝置、顯示面板、計(jì)算機(jī)設(shè)備、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。、micro?led激光轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種關(guān)鍵的制造工藝，用于將不同顏色的micro?led芯片從芯片生長(zhǎng)基板轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。激光轉(zhuǎn)移技術(shù)利...

本發(fā)明涉及晶圓加工領(lǐng)域，具體的是一種用于保護(hù)超薄臨時(shí)解鍵合晶圓承載薄膜的晶圓加工裝置。、在先進(jìn)封裝中，為了實(shí)現(xiàn)更薄的芯片厚度、更好的散熱和更高的互聯(lián)密度，晶圓會(huì)被從背面減薄，厚度通常從最初的七百多微米減薄到幾十微米，變成超薄晶圓。在這個(gè)厚度下，晶圓幾乎沒有任何機(jī)械強(qiáng)度，單獨(dú)傳輸和工藝動(dòng)作都...

本發(fā)明涉及一種用于裝配電子元件的基板載體，尤其適用于機(jī)動(dòng)車輛。此外，本發(fā)明還涉及一種具有至少一個(gè)基板載體的機(jī)動(dòng)車輛。、現(xiàn)有技術(shù)中已知的印刷電路板由多種不同的材料組合制成。對(duì)于熱敏感電子元件和/或處于熱負(fù)荷較高安裝環(huán)境中的電子元件，存在多種冷卻方案。一種已知的冷卻方案是至少部分通過印刷電路板...

本發(fā)明屬于晶硅太陽能制造的，具體涉及一種提升晶硅太陽能電池組件功率的激光隔離工藝。、當(dāng)前光伏組件多采用半片封裝，解決了整片電池的兩大痛點(diǎn)。整片電池片切割后，單片電流減半（電流與面積成正比），根據(jù)焦耳定律（p=i2r），電流降低可使電池串的串聯(lián)電阻損耗減少%，顯著提升填充因子（ff），進(jìn)而提...

本發(fā)明涉及功率器件封裝的，尤其涉及一種防止功率器件散熱片溢料壓傷的方法。、功率器件在封裝的過程中，通常采用塑封工藝對(duì)芯片和散熱框架進(jìn)行包封。由于框架厚度通常大于.mm，在批量生產(chǎn)中框架的尺寸公差難以嚴(yán)格控制，若框架與模具之間的配合間隙過小，容易導(dǎo)致框架受壓變形產(chǎn)生壓邊，影響產(chǎn)品的裝配，甚至...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，具體涉及一種雙柵器件集成結(jié)構(gòu)的制備方法和雙柵器件集成結(jié)構(gòu)。、目前的雙柵器件中背柵的形成方法包括fdsoi（全耗盡絕緣體上硅）和d?ic（三維集成電路）有兩種。fdsoi工藝中，形成是背柵不是局部電極，而是一整塊連續(xù)的?si?層，并且背柵位于整個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)下方，包括源極、漏...

本發(fā)明屬于復(fù)核薄膜制備的，特別涉及一種水氧阻隔導(dǎo)電雙效薄膜及制備方法。、在鈣鈦礦光伏領(lǐng)域，鈣鈦礦材料對(duì)自然環(huán)境中的水、氧氣、二氧化碳等敏感，必須通過高效封裝保護(hù)來延長(zhǎng)器件使用壽命?，F(xiàn)有技術(shù)普遍采用水氧阻隔膜進(jìn)行封裝，例如專利公開號(hào)cna提及了阻隔膜作為封裝解決方案。同時(shí)，鈣鈦礦太陽能電池還...